1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7136GXTMA1 por Infineon y 1EDN7136UXTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7136GXTMA1 1EDN7136UXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,02 $0,74
Product Type Low-side gate driver IC —
Configuration Single channel, non-inverting —
Peak Source Current 4 A 1 A
Peak Sink Current 8 A 2 A
Target Switch GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET —
Input Logic TTL/CMOS compatible —
UVLO Yes (VDD under-voltage lockout) —
Propagation Delay Sub-nanosecond class —
Encapsulado PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-free Yes —
Input Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range V] —
Output Voltage (GaN gate) Approximately 6 V (regulated) —
Función — High-side / Low-side gate driver IC
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
Número de salidas — 2 (high-side and low-side)
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes (per Infineon product family convention)

Hojas de datos y recursos

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