1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7550BXTSA1 Vergleich

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Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7146GXTMA1 1EDN7550BXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,59
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 —
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Non-inverting, truly differential
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6 (SOT-23-6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Driver Configuration — Single-channel, high-side / low-side
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Supply Voltage (VDD max) — 84 V
Minimum Input Pulse Width — 29 ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Input Common-Mode Range — Up to 150 V
Channel-to-Channel Matching — 1.0 ns typ.
Internal Regulator — 4.7 V on input side
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 °C to +150 °C

Datenblätter & Ressourcen

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