1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7550BXTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7146GXTMA1 por Infineon y 1EDN7550BXTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7146GXTMA1 1EDN7550BXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,59
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 —
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Non-inverting, truly differential
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6 (SOT-23-6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Driver Configuration — Single-channel, high-side / low-side
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Supply Voltage (VDD max) — 84 V
Minimum Input Pulse Width — 29 ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Input Common-Mode Range — Up to 150 V
Channel-to-Channel Matching — 1.0 ns typ.
Internal Regulator — 4.7 V on input side
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 °C to +150 °C

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