1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7550BXTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок 1EDN7146GXTMA1 от Infineon и 1EDN7550BXTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
1EDN7550BXTSA1 - 4A/8A Single-Channel Gate Driver, SOT-23-6 | Infineon
1EDN7550BXTSA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | 1EDN7146GXTMA1 | 1EDN7550BXTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,05 | $0,59 |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | Non-inverting, truly differential |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | — |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Рабочая температура | -40 C to +125 C | — |
| Корпус | PG-VSON-10-4 | PG-SOT23-6 (SOT-23-6) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Driver Configuration | — | Single-channel, high-side / low-side |
| Peak Source Current | — | 4 A |
| Peak Sink Current | — | 8 A |
| Supply Voltage (VDD max) | — | 84 V |
| Minimum Input Pulse Width | — | 29 ns |
| Propagation Delay (typ.) | — | [DATA_NEEDED: propagation delay value] |
| Input Common-Mode Range | — | Up to 150 V |
| Channel-to-Channel Matching | — | 1.0 ns typ. |
| Internal Regulator | — | 4.7 V on input side |
| Logic Input Compatibility | — | TTL / CMOS |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes |
| Рабочая температура перехода | — | -40 °C to +150 °C |