1EDN7146GXTMA1 vs 2EDL8023GXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7146GXTMA1 von Infineon und 2EDL8023GXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7146GXTMA1 2EDL8023GXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $1,52
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 2
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Non-inverting, TTL-compatible
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns [DATA_NEEDED: exact propagation delay ns from datasheet]
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated Integrated, 120 V rated
Betriebstemperatur -40 C to +125 C -40C to +125C
Gehäuse PG-VSON-10-4 PG-VDSON-8-4 (DSO-8 with exposed thermal pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Maximum Bootstrap Voltage — 120 V
VCC Supply Range — 8 V to 17 V
Channel-to-Channel Delay Match — ±2 ns
Undervoltage Lockout (VCC) — Yes (internal)
Undervoltage Lockout (VBS) — Yes (internal)
Isolation Technology — Junction isolation

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