1EDN7146GXTMA1 vs 2EDL8023GXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7146GXTMA1 por Infineon e 2EDL8023GXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7146GXTMA1 2EDL8023GXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $1,52
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 2
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Non-inverting, TTL-compatible
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns [DATA_NEEDED: exact propagation delay ns from datasheet]
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated Integrated, 120 V rated
Temperatura de operação -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulamento PG-VSON-10-4 PG-VDSON-8-4 (DSO-8 with exposed thermal pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Maximum Bootstrap Voltage — 120 V
VCC Supply Range — 8 V to 17 V
Channel-to-Channel Delay Match — ±2 ns
Undervoltage Lockout (VCC) — Yes (internal)
Undervoltage Lockout (VBS) — Yes (internal)
Isolation Technology — Junction isolation

Fichas técnicas e recursos

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