1EDN7146GXTMA1 vs 2EDL8023GXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7146GXTMA1 por Infineon y 2EDL8023GXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7146GXTMA1 2EDL8023GXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $1,52
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 2
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Non-inverting, TTL-compatible
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns [DATA_NEEDED: exact propagation delay ns from datasheet]
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated Integrated, 120 V rated
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulado PG-VSON-10-4 PG-VDSON-8-4 (DSO-8 with exposed thermal pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Maximum Bootstrap Voltage — 120 V
VCC Supply Range — 8 V to 17 V
Channel-to-Channel Delay Match — ±2 ns
Undervoltage Lockout (VCC) — Yes (internal)
Undervoltage Lockout (VBS) — Yes (internal)
Isolation Technology — Junction isolation

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