1EDN7550BXTSA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7550BXTSA1 von Infineon und 2ED2108S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7550BXTSA1 2ED2108S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,59 $0,30
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side Half-Bridge
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 °C to +150 °C —
Gehäuse PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Anzahl der Ausgänge — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C

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