1EDN7550BXTSA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7550BXTSA1 por Infineon y 2ED2108S06FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7550BXTSA1 2ED2108S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,59 $0,30
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side Half-Bridge
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 °C to +150 °C —
Encapsulado PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Número de salidas — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C

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