1EDN7550BXTSA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7550BXTSA1 por Infineon e 2ED2108S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7550BXTSA1 2ED2108S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,59 $0,30
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side Half-Bridge
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de junção de operação -40 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Status RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Número de saídas — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Temperatura de operação — -40 C to +125 C

Fichas técnicas e recursos

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