1EDN7550BXTSA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDN7550BXTSA1 от Infineon и 2ED2108S06FXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDN7550BXTSA1 2ED2108S06FXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,59 $0,30
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side Half-Bridge
Input Type Non-inverting, truly differential —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Рабочая температура перехода -40 °C to +150 °C —
Корпус PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 1
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Количество выходов — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Рабочая температура — -40 C to +125 C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену