2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von 2ED2108S06FXUMA1 von Infineon und 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | 2ED2108S06FXUMA1 | 2ED2106S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,30 | $0,78 |
| Driver Configuration | Half-Bridge | — |
| Number of Drivers | 1 | 2 |
| Gate Type | N-Channel MOSFET, IGBT | — |
| Anzahl der Ausgänge | 2 (high-side + low-side) | 2 (1 high-side, 1 low-side) |
| Logic Input | Non-Inverting | — |
| Input Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | 650 V | — |
| Peak Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 0.7 A | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VB) | — |
| Propagation Delay (typ.) | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] | 100 ns |
| Rise / Fall Time (typ.) | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] | — |
| Betriebstemperatur | -40 C to +125 C | — |
| Gehäuse | PG-DSO-8-53 (DSO-8) | PG-DSO-8-69 (DSO-8) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL-Level | 1 | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Offset Voltage (Voffset max) | — | 650 V |
| Configuration | — | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS, TTL |
| Anzahl der Pins | — | 8 |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40C to +125C |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Ausgangstyp | — | Half-Bridge, Non-Inverting |