2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2108S06FXUMA1 par Infineon et 2ED2106S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2ED2108S06FXUMA1 | 2ED2106S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,30 | $0,78 |
| Driver Configuration | Half-Bridge | — |
| Number of Drivers | 1 | 2 |
| Gate Type | N-Channel MOSFET, IGBT | — |
| Nombre de sorties | 2 (high-side + low-side) | 2 (1 high-side, 1 low-side) |
| Logic Input | Non-Inverting | — |
| Input Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | 650 V | — |
| Peak Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 0.7 A | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VB) | — |
| Propagation Delay (typ.) | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] | 100 ns |
| Rise / Fall Time (typ.) | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | — |
| Boîtier | PG-DSO-8-53 (DSO-8) | PG-DSO-8-69 (DSO-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Offset Voltage (Voffset max) | — | 650 V |
| Configuration | — | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) |
| Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Input Logic Compatibility | — | CMOS, TTL |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40C to +125C |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Type de sortie | — | Half-Bridge, Non-Inverting |