2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL6014ACG2DXTMA1 von Infineon und 2EDL8033G4CXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $2,84
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Ausgangskonfiguration Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Anzahl der Ausgänge — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C
RoHS-Status — Compliant

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