2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon e 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $2,84
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Configuração de saída Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Número de saídas — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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