2EDL6014ACG2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL6014ACG2DXTMA1 par Infineon et 2EDL8033G4CXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL6014ACG2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $2,84
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Channels 2 (high-side + low-side) —
Configuration de sortie Non-Inverting —
High-Side Voltage Rating 120 V —
Source Output Current 4 A —
Sink Output Current 6 A —
Supply Voltage (VDD) 2.97 V to 5.5 V —
Rise Time (typ.) 4.2 ns —
Fall Time (typ.) 3.8 ns —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Packing Method Tape & Reel —
Isolation Type Isolated (level-shifted floating high-side) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Family EiceDRIVER 2EDL —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Nombre de sorties — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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