2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDN7533RXTMA1 von Infineon und 1EDN7511BXUSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDN7533RXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $0,95
Funktion Dual-channel low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL / CMOS
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 C to +150 C —
Gehäuse PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Montageart Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Anzahl der Ausgänge — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Anstiegszeit — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Abfallzeit — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Betriebsversorgungsspannung — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)
Lead-Free — Yes

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