2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN7533RXTMA1 par Infineon et 1EDN7511BXUSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDN7533RXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,95
Fonction Dual-channel low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL / CMOS
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
Température de jonction en fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Nombre de sorties — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Temps de montée — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Temps de descente — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Tension d'alimentation de fonctionnement — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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