2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDN7533RXTMA1 por Infineon e 1EDN7511BXUSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDN7533RXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,95
Função Dual-channel low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL / CMOS
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
Temperatura de junção de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Status RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Número de saídas — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Tempo de subida — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Tempo de descida — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Tensão de alimentação de operação — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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