6EDL04I065NRXUMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 6EDL04I065NRXUMA1 von Infineon und 2EDL8033G4CXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
6EDL04I065NRXUMA1 6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 6EDL04I065NRXUMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,92 $2,84
Topologie 3-phase gate driver (6 channels) —
Ausgangskonfiguration Non-inverting half-bridge drivers —
Maximum Blocking Voltage 650 V —
Number of Channels 6 —
Driver Type IGBT / MOSFET gate driver —
Technology Infineon thin-film SOI —
Integrated Bootstrap Diode (BSD) Yes —
Over Current Protection (OCP) Yes —
Enable Input (EN) Yes —
Fault Output Yes —
Gehäuse PG-TSSOP-25 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Family 6EDL04x065xR —
RoHS-Status Compliant Compliant
Datasheet Document Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url) —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Anzahl der Ausgänge — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

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