6EDL04I065NRXUMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 6EDL04I065NRXUMA1 por Infineon y 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
6EDL04I065NRXUMA1 6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 6EDL04I065NRXUMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,92 $2,84
Topología 3-phase gate driver (6 channels) —
Configuración de salida Non-inverting half-bridge drivers —
Maximum Blocking Voltage 650 V —
Number of Channels 6 —
Driver Type IGBT / MOSFET gate driver —
Technology Infineon thin-film SOI —
Integrated Bootstrap Diode (BSD) Yes —
Over Current Protection (OCP) Yes —
Enable Input (EN) Yes —
Fault Output Yes —
Encapsulado PG-TSSOP-25 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Family 6EDL04x065xR —
Estado RoHS Compliant Compliant
Datasheet Document Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url) —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Número de salidas — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

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