6EDL04I065NRXUMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 6EDL04I065NRXUMA1 por Infineon e 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
6EDL04I065NRXUMA1 6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro 6EDL04I065NRXUMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,92 $2,84
Topologia 3-phase gate driver (6 channels) —
Configuração de saída Non-inverting half-bridge drivers —
Maximum Blocking Voltage 650 V —
Number of Channels 6 —
Driver Type IGBT / MOSFET gate driver —
Technology Infineon thin-film SOI —
Integrated Bootstrap Diode (BSD) Yes —
Over Current Protection (OCP) Yes —
Enable Input (EN) Yes —
Fault Output Yes —
Encapsulamento PG-TSSOP-25 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Family 6EDL04x065xR —
Status RoHS Compliant Compliant
Datasheet Document Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url) —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Número de saídas — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

Fichas técnicas e recursos

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