6EDL04I065NRXUMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 6EDL04I065NRXUMA1 par Infineon et 2EDL8033G4CXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
6EDL04I065NRXUMA1 6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065NRXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 6EDL04I065NRXUMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,92 $2,84
Topologie 3-phase gate driver (6 channels) —
Configuration de sortie Non-inverting half-bridge drivers —
Maximum Blocking Voltage 650 V —
Number of Channels 6 —
Driver Type IGBT / MOSFET gate driver —
Technology Infineon thin-film SOI —
Integrated Bootstrap Diode (BSD) Yes —
Over Current Protection (OCP) Yes —
Enable Input (EN) Yes —
Fault Output Yes —
Boîtier PG-TSSOP-25 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Family 6EDL04x065xR —
Statut RoHS Compliant Compliant
Datasheet Document Infineon 6EDL04 family datasheet (see datasheet_url) —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Nombre de sorties — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis