BSC009NE2LSATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC009NE2LSATMA1 von Infineon und BSC014NE2LSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC009NE2LSATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 25V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_a 41 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_c 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) —
Pulsed Drain Current (I_DM) 255 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (T_a) 2.5 W —
Power Dissipation (T_c) 96 W —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (TJ) —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +150 °C
Gehäuse — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern