BSC009NE2LSATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC009NE2LSATMA1 제조: Infineon 및 BSC014NE2LSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC009NE2LSATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.38 | $0.48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 25V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_a | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_c | 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 255 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (T_a) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_c) | 96 W | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (TJ) | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 8 | — |
| MSL 레벨 | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +150 °C |
| 패키지 | — | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Lead-Free | — | Yes |