BSC009NE2LSATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC009NE2LSATMA1 por Infineon e BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC009NE2LSATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 25V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_a 41 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_c 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) —
Pulsed Drain Current (I_DM) 255 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (T_a) 2.5 W —
Power Dissipation (T_c) 96 W —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +150 °C
Encapsulamento — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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