BSC014N04LSATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC014N04LSATMA1 von Infineon und BSC0921NDIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC014N04LSATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) OptiMOS 25V (N-channel)
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (unlimited) 1 (per Infineon OptiMOS family)
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Pulsed Drain Current (IDM) — 31 A (per channel, package-limited)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

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