BSC014N04LSATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSATMA1 par Infineon et BSC0921NDIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LSATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) OptiMOS 25V (N-channel)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited) 1 (per Infineon OptiMOS family)
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Pulsed Drain Current (IDM) — 31 A (per channel, package-limited)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Fiches techniques et ressources

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