BSC014N04LSATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC014N04LSATMA1 por Infineon e BSC0921NDIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC014N04LSATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) OptiMOS 25V (N-channel)
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (unlimited) 1 (per Infineon OptiMOS family)
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Pulsed Drain Current (IDM) — 31 A (per channel, package-limited)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Fichas técnicas e recursos

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