BSC014N04LSATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC014N04LSATMA1 por Infineon y BSC0921NDIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC014N04LSATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) OptiMOS 25V (N-channel)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (unlimited) 1 (per Infineon OptiMOS family)
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Pulsed Drain Current (IDM) — 31 A (per channel, package-limited)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

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