BSC026N04LSATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC026N04LSATMA1 von Infineon und BSC019N04LSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC026N04LSATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: max RDS(on)] 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 63 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55 C to +150 C
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Channel Type N-Channel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
MSL-Level — 1 (unlimited)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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