BSC026N04LSATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC026N04LSATMA1 por Infineon y BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC026N04LSATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: max RDS(on)] 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 63 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55 C to +150 C
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Channel Type N-Channel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización