BSC027N04LSGATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC027N04LSGATMA1 von Infineon und BSC032N04LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC027N04LSGATMA1 BSC032N04LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,54 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Verlustleistung (TC=25°C) 83 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 trench
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
Part Series — OptiMOS 5 40V
FET Type — N-Channel
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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