BSC027N04LSGATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC027N04LSGATMA1 от Infineon и BSC032N04LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC027N04LSGATMA1 BSC032N04LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,54 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) 83 W —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C —
Корпус PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 trench
Уровень MSL 1 —
Статус RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Part Series — OptiMOS 5 40V
FET Type — N-Channel
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Рабочая температура перехода — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену