BSC027N04LSGATMA1 vs BSC032N04LSATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC027N04LSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC032N04LSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC027N04LSGATMA1 BSC032N04LSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.54 $0.32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A 21 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
消費電力(TC=25°C) 83 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C —
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 trench
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
Part Series — OptiMOS 5 40V
FET Type — N-Channel
RDS(on) max at VGS=10V — 3.2 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
動作接合温度 — -55°C to +175°C
Lead-Free — Yes

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