BSC032N04LSATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von BSC032N04LSATMA1 von Infineon und BSC027N04LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | BSC032N04LSATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,32 | $0,54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 98 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 3 (Trench) |
| Gehäuse | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebs-Sperrschichttemperatur | -55°C to +175°C | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Transistortyp | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Verlustleistung (TC=25°C) | — | 83 W |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55°C to +150°C |
| MSL-Level | — | 1 |
| Halogenfrei | — | Yes |