BSC032N04LSATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC032N04LSATMA1 メーカー: Infineon および BSC027N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC032N04LSATMA1 BSC027N04LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A 100 A
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 3 (Trench)
パッケージ PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55°C to +175°C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 3
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
消費電力(TC=25°C) — 83 W
動作温度範囲 — -55°C to +150°C
MSLレベル — 1
ハロゲンフリー — Yes

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