BSC032N04LSATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC032N04LSATMA1 par Infineon et BSC027N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC032N04LSATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,32 | $0,54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 98 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 3 (Trench) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 83 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Sans halogène | — | Yes |