BSC032N04LSATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC032N04LSATMA1 от Infineon и BSC027N04LSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 - 40V 3.2mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC032N04LSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC032N04LSATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,32 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A 100 A
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 3 (Trench)
Корпус PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура перехода -55°C to +175°C —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 3
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) — 83 W
Диапазон рабочих температур — -55°C to +150°C
Уровень MSL — 1
Без галогенов — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену