BSC040N08NS5ATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC040N08NS5ATMA1 von Infineon und ISC058N04NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC040N08NS5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,15 $0,60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A 63 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 —
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
Product Family — OptiMOS 5 40V Normal Level
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 17 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 42 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

Datenblätter & Ressourcen

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