BSC040N08NS5ATMA1 vs ISC058N04NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC040N08NS5ATMA1 par Infineon et ISC058N04NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC040N08NS5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,15 $0,60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A 63 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
Product Family — OptiMOS 5 40V Normal Level
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 17 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A — 5.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.4 V
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 42 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
RoHS Compliance — RoHS Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL per JEDEC J-STD-020
Gate Drive Level — Normal Level (10V VGS recommended)

Fiches techniques et ressources

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