BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC035N10NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC040N10NS5ATMA1 von Infineon und BSC035N10NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC040N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,93 $1,12
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC035N10NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS max) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 3.5 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 156 W
Configuration — Single N-channel MOSFET
Gate Drive — Logic-level compatible (10V VGS)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Packaging — Tape & Reel (T&R)

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