BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC035N10NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC040N10NS5ATMA1 par Infineon et BSC035N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC035N10NS5ATMA1 - 100V 3.5mOhm N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSC035N10NS5ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC040N10NS5ATMA1 | BSC035N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,93 | $1,12 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 4 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 136 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 139 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Output Capacitance Reduction | Up to 44% vs previous generation | — |
| RDS(on) Reduction | Up to 43% vs previous generation | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC035N10NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) | — | 3.5 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 156 W |
| Configuration | — | Single N-channel MOSFET |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible (10V VGS) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] |
| Packaging | — | Tape & Reel (T&R) |