BSC072N08NS5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC072N08NS5ATMA1 von Infineon und IPT015N10N5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC072N08NS5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $2,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Configuration — Single
Betriebstemperatur — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

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