BSC072N08NS5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC072N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および IPT015N10N5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC072N08NS5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.46 $2.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
パッケージ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Configuration — Single
動作温度 — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼