BSC072N08NS5ATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC072N08NS5ATMA1 por Infineon e IPT015N10N5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC072N08NS5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $2,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Configuration — Single
Temperatura de operação — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

Fichas técnicas e recursos

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