BSC0906NSATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0906NSATMA1 von Infineon und BSC077N12NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0906NSATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,71
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 63 A 98 A
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS —
RDS(on) max (typical reference) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction, typical) —
Pin-Anzahl 8 8
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Transistortyp — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
MSL-Level — 1
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

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