BSC0906NSATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC0906NSATMA1 제조: Infineon 및 BSC077N12NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC0906NSATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.48 | $0.71 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | 98 A |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | — |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction, typical) | — |
| 핀 수 | 8 | 8 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +150C |
| MSL 레벨 | — | 1 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |