BSC0906NSATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC0906NSATMA1 par Infineon et BSC077N12NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC0906NSATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,71 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 63 A | 98 A |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 30 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS | — |
| RDS(on) max (typical reference) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction, typical) | — |
| Nombre de broches | 8 | 8 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |