BSC0911NDATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC0911NDATMA1 von Infineon und BSC0501NSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC0911NDATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon
Product Family OptiMOS 25V OptiMOS 5 25V/30V
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) 1 W —
Gehäuse PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET Trench-gate OptiMOS 5
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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